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锑化镓（GaSb）
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| 产品参数 | 品种：
类型： 浓度 （cm-3）： 迁移率(cm2/V.S) 位错密度 (cm-2)： Un-GaSb P 1~2*1017 600~700 <1000 Zn-GaSb P 5*1017 200~500 <1000 Te-GaSb N 1~60*1017 2000~3500 |
| 性状 | 锑化镓（GaSb）是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料。
非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等等优点；该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。 名称：GaSb wafer （锑化镓）单晶片 规格：2英寸、3英寸和4英寸； 晶向:、， 特殊晶向也可以加工。 |
| 贮存 |
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