CVD二氧化硅基底单层二硫化钨

英文名:Single Layer WS2 on SiO2
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 形态:薄膜

参数

基底:二氧化硅

基底尺寸:9 mmx9 mm

WS2片径大小:20-50 µm

厚度:0.6~0.8 nm



应用

该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。
性状
贮存
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