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InSiTe3晶体

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货号 规格 货期 库存 价格 会员价 订购
13081331321 大于10平方毫米 0 ￥3120
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13081331322 大于25平方毫米 0 ￥5120
- +
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

Debbichi, Lamjed, et al. "First-principles investigation of two-dimensional trichalcogenide and sesquichalcogenide monolayers." Physical Review B 93.24 (2016): 245307.

Lefèvre, Robin, et al. "Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In 2 Ge 2 Te 6 and thermoelectric properties of related compounds." Journal of Materials Chemistry A 5.36 (2017): 19406-19415.

性状 材料名称

Name





InSiTe3



性质分类

Electrical properties

半导体，热电材料

禁带宽度

Bangap

0.8 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事项

Notice 晶体稳定性一般，需要避开水氧保存
贮存
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