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PbBi4Te7晶体

英文名：
Cas号：
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13081331601 大于10毫克 0 ￥3120
- +
13081331602 大于25毫克 0 ￥5120
- +
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别 名
Cas号
M D L
分子式
分子量
产品参数 参考文献

1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700.



2，Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131.
性状 材料名称

Name




PbBi4Te7



性质分类

Electrical properties


红外半导体，拓扑绝缘体， 热电材料

IR Semiconductor， TI
禁带宽度

Bangap

0.4 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度
Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定，不需要特殊保存

Stable
贮存
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