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硒化锗
英文名：GERMANIUM SELENIDE
Cas号：12065-10-0
Cas号：12065-10-0
检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 别 名 | 硒化锗(II);硒化锗 |
| Cas号 | 12065-10-0 |
| M D L | |
| 分子式 | GeSe |
| 分子量 | 151.6 |
| 产品参数 | 概述硒化锗一种正交晶系离子性晶体，具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。硒化锗分类根据晶型结构分类，可分为：α-GeSeβ-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型，它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-ChemicalbookGeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体.β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。
参考文献[1]http://www.chazidian.com/baike/477878/[2]张胜利,刘尚果,黄世萍,等.单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J].ScienceChinaMaterials,2015(12). |
| 性状 | 熔点 670 °C(lit.)
密度 5.6 g/mL at 25 °C(lit.) 形态gray orthorhombic crystals or brown powder |
| 贮存 |
- 硒化镓 12024-11-2
- 碲化镓 12024-14-5
- GeBi4Te7粉体
- 多氨基多醚基甲叉膦酸 PAPEMP
- 硒化锗 12065-10-0
- HfS2 硫化铪
- HfSe2 硒化铪
- HfTe2 碲化铪
- MoSSe 高纯硫硒化钼粉体
沪公网安备 31012002003054号