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In2P3S9晶体
英文名：
Cas号：
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检测信息查询
| 货号 | 规格 | 货期 | 库存 | 价格 | 会员价 | 订购 |
| 13081331231 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331232 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥3120 |
| 别 名 | |
| Cas号 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 产品参数 | 参考文献
Parthé, E., and B. Chabot. "Classification of structures with anionic tetrahedron complexes using valence-electron criteria." Acta Crystallographica Section B: Structural Science 46.1 (1990): 7-23. |
| 性状 | 材料名称
Name In2P3S9 性质分类 Electrical properties 半导体 Semiconductor 禁带宽度 Bangap 1.4 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事项 Notice 晶体稳定，不需要特殊保存 Stable |
| 贮存 |
沪公网安备 31012002003054号