In2Se3 硒化铟晶体 α-2H相

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别名
Cas号
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分子式
分子量
产品参数	参考文献： 1，Shi, Huanhuan, et al. "Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3 Flakes for Large‐Area Optoelectronics." Advanced Materials (2020): 1907244. 2，Wan, Siyuan, et al. "Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3." Advanced Functional Materials 29.20 (2019): 1808606. 3， Zhang, Fan, et al. "Atomic-scale observation of reversible thermally driven phase transformation in 2D In2Se3." ACS nano 13.7 (2019): 8004-8011.
性状	晶体大小： 5~10 mm 晶体种类： Semiconductor，红外材料　0.99eV 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶体生长方式： CVT 化学气相传输法
贮存

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