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CVD 二硒化钼：MoSe2
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| 产品参数 | 制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD） 产品简介： MoSe2薄膜分为多种： 1） 单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几十微米。 2） 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜，上面有多层区域。 3） 基底：MoSe2可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。 应用领域： 光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。 包装及规格 10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。 净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。 |
| 性状 | 基底种类：
SiO2/Si(300nm氧化层） SiO2/Si(其他厚度） 蓝宝石（单面抛光） 蓝宝石（双面抛光） 光学石英 柔性PET 硅片 高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫兹专用 SOI PDMS 云母 SrTiO3钛酸锶 玻璃 ITO 金膜 银膜 铜膜 GaAs砷化镓 TEM铜网 MoSe2形貌： 孤立晶粒 连续薄膜 |
| 贮存 |
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