CVD 二硒化钨薄膜 : WSe2

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Cas号
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分子式
分子量
产品参数 制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

产品简介:
WSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层WSe2 连续薄膜。
4) 基底:WSe2可选基底较多,其中蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如:SiO2/Si, 硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。

包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
性状 尺寸:10mm*10mm
形貌:
单层三角单晶晶粒
单层连续薄膜
多层连续薄膜
基底种类:
SiO2/Si(300nm氧化层)
SiO2/Si(其他厚度)
蓝宝石(单面抛光)
蓝宝石(双面抛光)
光学石英
柔性PET
硅片
高阻本征硅(>10000ohm.cm)太赫兹专用
SOI
PDMS
云母
SrTiO3钛酸锶
玻璃
ITO
金膜
银膜
铜膜
GaAs砷化镓
TEM铜网
贮存
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